首页 > 商品目录 > > > > IRF3205STRLPBF代替型号比较

IRF3205STRLPBF  与  IPB090N06N3 G  区别

型号 IRF3205STRLPBF IPB090N06N3 G
唯样编号 B-IRF3205STRLPBF-2 A-IPB090N06N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@62A,10V 9mΩ
上升时间 - 40ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 D2PAK -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 110A 50A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 71W
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥7.1145
1,600+ :  ¥6.975
2,400+ :  ¥6.882
4,000+ :  ¥6.7425
8,000+ :  ¥6.51
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3205STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥7.1145 

阶梯数 价格
800: ¥7.1145
1,600: ¥6.975
2,400: ¥6.882
4,000: ¥6.7425
8,000: ¥6.51
0 当前型号
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

10.4mm D2PAK

暂无价格 0 对比
SPB80N06S08ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPB80N06S-08_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
BUK7608-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7608-55A_SOT404

¥21.0935 

阶梯数 价格
180: ¥21.0935
400: ¥16.4793
800: ¥13.5076
0 对比
IPB090N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB090N06N3GATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
BUK9608-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9608-55A_SOT404

¥20.2222 

阶梯数 价格
170: ¥20.2222
400: ¥15.2046
800: ¥12.4628
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售